IT之家 1 月 19 日消息，據(jù) DIGITIMES 研究報告，隨氮化鎵 (GaN) 通訊元件于工藝及磊晶技術持續(xù)精進，將由現(xiàn)行散熱較佳得碳化硅基氮化鎵 (GaN on SiC) 結(jié)構，朝著即將試產(chǎn)得 GaN on GaN 及磊晶質(zhì)量改善后得硅基氮化鎵 (GaN on Si) 架構發(fā)展，以支持后續(xù) 6G 網(wǎng)絡通訊在低軌衛(wèi)星及智能手機等場景應用。再者，因 6G 網(wǎng)絡將整合 4G 與 5G 通訊得云端及邊緣運算能力，并提供更寬廣得 6G 網(wǎng)絡頻段、資料傳輸率及傳輸范圍，亦有望推升 GaN 通訊元件于高頻及高功率環(huán)境下得終端需求。（磊晶，Epitaxy 是指一種用于半導體器件制造過程中，在原有晶片上長出新結(jié)晶，以制成新半導體層得技術）

由于通訊網(wǎng)絡技術得不斷升級，從原先單純語音傳輸?shù)?2G 到現(xiàn)行復雜物聯(lián)網(wǎng)得 5G、再至未來整合多元傳感器得 6G 網(wǎng)絡，將提供人們更加便捷得通訊生活。6G 網(wǎng)絡無論于頻譜效率、通訊能效及數(shù)據(jù)傳輸率等皆更勝 5G，且 6G 擁有更寬廣得網(wǎng)絡頻段與可支持非地面通訊 (Non-Terrestrial Network；NTN)，有望拉抬 GaN 通訊元件于 6G 網(wǎng)絡生態(tài)系得滲透比例。

IT之家了解到，GaN 通訊元件因高頻及高功率得材料特性，適合在如基站內(nèi)得功率放大器 (Power Amplifier；PA) 等嚴苛得工作環(huán)境操作。現(xiàn)行 GaN 通訊元件結(jié)構多數(shù)以散熱條件較佳得 GaN on SiC 異質(zhì)磊晶結(jié)構為主。DIGITIMES Research 認為，未來隨同質(zhì) GaN on GaN 元件接續(xù)問世及 GaN on Si 磊晶質(zhì)量獲得改善，其將漸應用于 6G 網(wǎng)絡通訊于低軌衛(wèi)星及智能手機等終端場景。